Memoria SDRAM GDDR6

La memoria de acceso aleatorio dinámico síncrona de doble velocidad de datos para gráficos ( GDDR6 SDRAM ) es un tipo de memoria de acceso aleatorio síncrona para gráficos (SGRAM) con una interfaz de " doble velocidad de datos " de alto ancho de banda , diseñada para su uso en tarjetas gráficas , consolas de videojuegos y computación de alto rendimiento . Es un tipo de GDDR SDRAM (memoria DDR SDRAM para gráficos ) y es la sucesora de GDDR5 . Al igual que GDDR5X, utiliza QDR ( velocidad de datos cuádruple ) en referencia al reloj de comando de escritura (WCK) y ODR (velocidad de datos octal) en referencia al reloj de comando (CK). ^{[ 1 ]}

La especificación final fue publicada por JEDEC en julio de 2017. ^{[ 2 ]} GDDR6 ofrece un mayor ancho de banda por pin (hasta 16 Gbit/s ^{[ 3 ]} ) y voltajes de funcionamiento más bajos (1,35 V ^{[ 4 ]} ), lo que aumenta el rendimiento y disminuye el consumo de energía en relación con GDDR5X . ^{[ 5 ] [ 6 ]}  

En Hot Chips 2016, Samsung anunció GDDR6 como sucesor de GDDR5X . ^{[ 5 ] [ 6 ]} Posteriormente, Samsung anunció que los primeros productos serían chips de 16  Gbit/s y 1,35  V. ^{[ 7 ] [ 8 ]} En enero de 2018, Samsung comenzó la producción en masa de chips GDDR6 de 16 Gb (2 GB ), fabricados con un proceso de 10 nm y con una velocidad de datos de hasta 18 Gbit/s por pin. ^{[ 9 ] [ 8 ] [ 10 ]}    

En febrero de 2017, Micron Technology anunció que lanzaría sus propios productos GDDR6 a principios de 2018. ^{[ 11 ]} Micron comenzó la producción en masa de chips de 8  Gb en junio de 2018. ^{[ 12 ]}

SK Hynix anunció que sus productos GDDR6 se lanzarían a principios de 2018. ^{[ 13 ] [ 3 ]} SK Hynix anunció en abril de 2017 que sus chips GDDR6 se producirían en un proceso de 21  nm y tendrían un voltaje un 10 % menor que GDDR5. ^{[ 3 ]} Se esperaba que los chips de SK Hynix tuvieran una tasa de transferencia de 14 a 16  Gbit/s. ^{[ 4 ]} Se esperaba que las primeras tarjetas gráficas que usaran la RAM GDDR6 de SK Hynix usaran 12  GB de RAM con un bus de memoria de 384 bits, lo que daría un ancho de banda de 768  GB/s. ^{[ 3 ]}  SK Hynix comenzó la producción en masa en febrero de 2018, con chips de 8 Gbit y una tasa de datos de 14  Gbit/s por pin. ^{[ 14 ]}

Nvidia anunció oficialmente las primeras tarjetas gráficas para consumidores que utilizan GDDR6, las GeForce RTX 2080 Ti , RTX 2080 y RTX 2070 basadas en Turing el 20 de agosto de 2018, ^{[ 15 ]} RTX 2060 el 6 de enero de 2019 ^{[ 16 ]} y GTX 1660 Ti el 22 de febrero de 2019. ^{[ 17 ]} La memoria GDDR6 de Samsung Electronics también se utiliza para la serie Quadro RTX basada en Turing . ^{[ 18 ]} La serie RTX 20 se lanzó inicialmente con chips de memoria Micron, antes de cambiar a chips Samsung en noviembre de 2018. ^{[ 19 ]}

AMD anunció oficialmente las Radeon RX 5700 , 5700 XT y 5700 XT 50th Anniversary Edition el 10 de junio de 2019. Estas GPU Navi 10 ^{[ 20 ]} utilizan 8  GB de memoria GDDR6. ^{[ 21 ]}

Micron desarrolló GDDR6X en estrecha colaboración con Nvidia. GDDR6X SGRAM aún no había sido estandarizado por JEDEC. Nvidia es el único socio de lanzamiento de Micron para GDDR6X. ^{[ 22 ]} GDDR6X ofrece un ancho de banda por pin aumentado de entre 19 y 21  Gbit/s con señalización PAM 4, lo que permite transmitir dos bits por símbolo y reemplaza la codificación NRZ anterior (sin retorno a cero, PAM2) que proporcionaba solo un bit por símbolo, limitando así el ancho de banda por pin de GDDR6 a 16  Gbit/s. ^{[ 23 ]} Las primeras tarjetas gráficas en usar GDDR6X son las tarjetas gráficas Nvidia GeForce RTX 3080 y 3090 . La señalización PAM4 no es nueva, pero su implementación es más costosa, en parte porque requiere más espacio en los chips y es más propensa a problemas de relación señal-ruido (SNR) ^{[ 24 ]} , lo que limitó su uso principalmente a redes de alta velocidad (como Ethernet de 200G). GDDR6X consume un 15 % menos de energía por bit transferido que GDDR6, pero el consumo total de energía es mayor, ya que GDDR6X es más rápido que GDDR6. En promedio, PAM4 consume menos energía y utiliza menos pines que la señalización diferencial, a la vez que es más rápido que NRZ. Se cree que GDDR6X es más económico que la memoria de alto ancho de banda ^{[ 25 ]} .

Samsung anunció el desarrollo de GDDR6W el 29 de noviembre de 2022. ^{[ 26 ]} Sus mejoras con respecto a GDDR6 son:

• Mayor velocidad de transmisión por pin de 22  Gb/s.
• Duplicar la capacidad por paquete, pasando de 16  Gb a 32  Gb.
• Duplicar los pines de E/S de 32 a 64.
• Un 36 % menos de grosor (0,7 mm menos que 1,1 mm mediante el uso de encapsulado a nivel de oblea Fan-Out (FOWLP))

• Lista de velocidades de bits de la interfaz