Método sándwich de sublimación

El método de sándwich de sublimación (también llamado proceso de sándwich de sublimación o técnica de sándwich de sublimación ) es un tipo de deposición física de vapor que se utiliza para crear cristales artificiales. El carburo de silicio es el cristal más común que se cultiva de esta manera, aunque también se pueden crear otros cristales (en particular, el nitruro de galio ).

En este método, el entorno alrededor de un monocristal o una placa policristalina se llena con vapor calentado entre 1600 °C y 2100 °C. Los cambios en este entorno pueden afectar la estequiometría de la fase gaseosa . La distancia entre la fuente y el cristal se mantiene muy baja, entre 0,02 mm y 0,03 mm. Los parámetros que pueden afectar el crecimiento del cristal incluyen la distancia entre la fuente y el sustrato, el gradiente de temperatura y la presencia de tantalio para recolectar el exceso de carbono . Las altas tasas de crecimiento son el resultado de pequeñas distancias entre la fuente y la semilla combinadas con un gran flujo de calor sobre una pequeña cantidad de material fuente con una diferencia de temperatura no mayor que moderada entre el sustrato y la fuente (0,5-10 °C). Sin embargo, el crecimiento de grandes lingotes sigue siendo bastante difícil con este método, y es más adecuado para la creación de películas epitaxiales con estructuras politípicas uniformes . ^{[ 1 ]} En última instancia, se pueden producir muestras con un espesor de hasta 500  μm utilizando este método. ^{[ 2 ]}

• Método Lely
• Proceso de Czochralski
• Mokhov, E. et al.: “Crecimiento de cristales masivos de carburo de silicio mediante el método de sándwich de sublimación”, Elsevier Science SA, 1997, pp. 317-323