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Semiconductor de banda prohibida estrecha

Los semiconductores de banda prohibida estrecha son materiales semiconductores con una magnitud de banda prohibida menor a 0,7 eV, lo que corresponde a una longitud de onda de c...

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Los semiconductores de banda prohibida estrecha son materiales semiconductores con una magnitud de banda prohibida menor a 0,7 eV, lo que corresponde a una longitud de onda de corte de absorción infrarroja superior a 2,5 micras. Una definición más amplia incluye todos los semiconductores con bandas prohibidas menores que el silicio (1,1 eV). [ 1 ] [ 2 ] Las tecnologías modernas de terahercios , [ 3 ] infrarrojos [ 4 ] y termografía [ 5 ] se basan en esta clase de semiconductores .

Los materiales de banda estrecha hicieron posible realizar teledetección satelital , [ 6 ] circuitos integrados fotónicos para telecomunicaciones , [ 7 ] [ 8 ] [ 9 ] y sistemas Li-Fi para vehículos no tripulados, [ 10 ] en el régimen de detector infrarrojo y termografía . [ 11 ] [ 12 ] También son la base de materiales para la tecnología de terahercios, incluyendo vigilancia de seguridad para el descubrimiento de armas ocultas , [ 13 ] [ 14 ] [ 15 ] imágenes médicas e industriales seguras con tomografía de terahercios , [ 16 ] [ 17 ] [ 18 ] así como aceleradores de campo de estela dieléctricos . [ 19 ] [ 20 ] [ 21 ] Además, los termofotovoltaicos incorporados con semiconductores de banda estrecha pueden potencialmente usar la porción de energía solar tradicionalmente desperdiciada que ocupa ~ 49% del espectro de luz solar. [ 22 ] [ 23 ] Las naves espaciales, los instrumentos de aguas profundas y los sistemas de física del vacío utilizan semiconductores de banda estrecha para lograr el enfriamiento criogénico . [ 24 ] [ 25 ]

Lista de semiconductores de banda prohibida estrecha

Véase también

Referencias

  1. ↑ Li, Xiao-Hui (2022). "Materiales de banda prohibida estrecha para aplicaciones optoelectrónicas" . Frontiers of Physics . 17 (1): 13304. Bibcode : 2022FrPhy..1713304L . doi : 10.1007/s11467-021-1055-z . S2CID 237652629 . 
  2. ↑ Chu, Junhao; Sher, Arden (2008). Física y propiedades de semiconductores de banda prohibida estrecha . Springer. doi : 10.1007/978-0-387-74801-6 . ISBN 978-0-387-74743-9.
  3. ↑ Jones, Graham A.; Layer, David H.; Osenkowsky, Thomas G. (2007). Manual de ingeniería de la Asociación Nacional de Radiodifusores . Taylor and Francis. pág. 7. ISBN  978-1-136-03410-7.
  4. ↑ Avraham, M.; Nemirovsky, J.; Blank, T.; Golan, G.; Nemirovsky, Y. (2022). "Hacia un radiómetro de detección remota IR preciso de la temperatura corporal basado en un novedoso sistema de detección IR denominado TMOS digital" . Micromachines . 13 ( 5): 703. doi : 10.3390/mi13050703 . PMC 9145132. PMID 35630174 .  
  5. ↑ Hapke B (19 de enero de 2012). Teoría de la espectroscopia de reflectancia y emitancia . Cambridge University Press. pág. 416. ISBN  978-0-521-88349-8.
  6. ↑ Lovett, DR Semimetales y semiconductores de banda prohibida estrecha; Pion Limited: Londres, 1977; Capítulo 7.
  7. ↑ Inside Telecom Staff (30 de julio de 2022). "¿Cómo pueden los chips fotónicos ayudar a crear una infraestructura digital sostenible?" . Inside Telecom . Consultado el 20 de septiembre de 2022 .
  8. ↑ Awad, Ehab (octubre de 2018). "División y recombinación de modos bidireccionales para la conversión de modos en guías de onda planares" . IEEE Access . 6 (1): 55937. doi : 10.1109/ACCESS.2018.2873278 . S2CID 53043619 . 
  9. ↑ Vergyris, Panagiotis (16 de junio de 2022). "Fotónica integrada para aplicaciones cuánticas" . Laser Focus World . Consultado el 20 de septiembre de 2022 .
  10. ↑ "Resumen completo de técnicas de modulación para LiFi | Investigación LiFi" . www.lifi.eng.ed.ac.uk. Consultado el 16 de enero de 2018 .
  11. ↑ "La cámara de infrarrojos (IRAC)" . Telescopio espacial Spitzer. NASA / JPL / Caltech. Archivado del original el 13 de junio de 2010. Consultado el 13 de enero de 2017 .  
  12. ↑ Szondy, David (28 de agosto de 2016). "Spitzer va "más allá" para su misión final" . New Atlas . Recuperado el 13 de enero de 2017 .
  13. ↑ "El espacio en imágenes – 2002–06 – Conociendo al equipo" .
  14. ↑ "Cámara espacial abre nuevos caminos en terahercios" . Times Higher Education (THE) . 12 de febrero de 2003. Consultado el 4 de agosto de 2023 .
  15. ↑ Ganador del concurso de planes de negocio de los Consejos de Investigación 2003/04 – 24 de febrero de 2004. epsrc.ac.uk. 27 de febrero de 2004
  16. ↑ Guillet, JP; Recur, B.; Frederique, L.; Bousquet, B.; Canioni, L.; Manek-Hönninger, I.; Desbarats, P.; Mounaix, P. (2014). "Revisión de las técnicas de tomografía de terahercios". Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves . 35 (4): 382– 411. Bibcode : 2014JIMTW..35..382G . CiteSeerX 10.1.1.480.4173 . doi : 10.1007/s10762-014-0057-0 . S2CID 120535020 .  
  17. ^ Mittleman, Daniel M.; Hunsche, Stefan; Boivin, Luc; Nuss, Martín C. (1997). "Tomografía de rayos T" . Letras de Óptica . 22 (12): 904– 906. Código bibliográfico : 1997OptL...22..904M . doi : 10.1364/OL.22.000904 . ISSN 1539-4794 . PMID 18185701 .  
  18. ↑ Katayama, I.; Akai, R.; Bito, M.; Shimosato, H.; Miyamoto, K.; Ito, H.; Ashida, M. (2010). "Generación de terahercios de banda ultraancha utilizando cristales individuales de tosilato de 4-N,N-dimetilamino-4′-N′-metil-estilbazolio" . Applied Physics Letters . 97 (2): 021105. Bibcode : 2010ApPhL..97b1105K . doi : 10.1063/1.3463452 . ISSN 0003-6951 . 
  19. ↑ Dolgashev, Valery; Tantawi, Sami; Higashi, Yasuo; Spataro, Bruno (25-10-2010). "Dependencia geométrica de la ruptura por radiofrecuencia en estructuras aceleradas de conducción normal". Applied Physics Letters . 97 (17): 171501. Bibcode : 2010ApPhL..97q1501D . doi : 10.1063/1.3505339 .
  20. ^ Nanni, Emilio A.; Huang, Wenqian R.; Hong, Kyung-Han; Ravi, Koustuban; Fallahi, Arya; Moriena, Gustavo; Dwayne Miller, RJ; Kärtner, Franz X. (6 de octubre de 2015). "Aceleración de electrones lineal impulsada por terahercios" . Comunicaciones de la naturaleza . 6 (1): 8486. arXiv : 1411.4709 . Código Bib : 2015NatCo...6.8486N . doi : 10.1038/ncomms9486 . PMC 4600735 . PMID 26439410 .  
  21. ↑ Jing, Chunguang (2016). "Aceleradores de estela dieléctrica". Reviews of Accelerator Science and Technology . 09 (6): 127– 149. Bibcode : 2016RvAST...9..127J . doi : 10.1142/s1793626816300061 .
  22. ↑ Poortmans, Jef. "Sitio web de IMEC: Pilas fotovoltaicas" . Archivado del original el 13 de octubre de 2007. Consultado el 17 de febrero de 2008 .
  23. ↑ "Un nuevo motor térmico sin partes móviles es tan eficiente como una turbina de vapor" . Noticias del MIT | Instituto Tecnológico de Massachusetts . 13 de abril de 2022. Consultado el 13 de abril de 2022 .
  24. ↑ Radebaugh, Ray (31 de marzo de 2009). "Criorefrigeradores: estado del arte y desarrollos recientes". Journal of Physics: Condensed Matter . 21 (16) 164219. Bibcode : 2009JPCM...21p4219R . doi : 10.1088/0953-8984 / 21/16/164219 . ISSN 0953-8984 . PMID 21825399. S2CID 22695540 .   
  25. ↑ Cooper, Bernard E; Hadfield, Robert H (28-06-2022). "Punto de vista: criogenia compacta para detectores de fotones superconductores" . Superconductor Science and Technology . 35 (8): 080501. Bibcode : 2022SuScT..35h0501C . doi : 10.1088/1361-6668/ac76e9 . ISSN 0953-2048 . S2CID 249534834 .  
  26. ↑ Nelson, James T. (1955). "Sección de Chicago: 1. Propiedades eléctricas y ópticas de MgPSn y Mg₂Si " . American Journal of Physics . 23 (6). American Association of Physics Teachers (AAPT): 390. doi : 10.1119/1.1934018 . ISSN 0002-9505 . 

Lecturas adicionales

  • Dornhaus, R., Nimtz, G., Schlicht, B. (1983). Semiconductores de espacio estrecho . Springer Tracts en Física Moderna 98 , ISBN 978-3-540-12091-9(impreso) ISBN 978-3-540-39531-7(en línea)
  • Nimtz, Günter (1980). "Recombinación en semiconductores de banda prohibida estrecha". Physics Reports . 63 (5): 265– 300. Bibcode : 1980PhR....63..265N . doi : 10.1016/0370-1573(80)90113-1 . ISSN 0370-1573 .