Memoria SDRAM GDDR7

La memoria de acceso aleatorio dinámico síncrona de doble velocidad de datos para gráficos ( GDDR7 SDRAM ) es un tipo de memoria de acceso aleatorio síncrona para gráficos (SGRAM) con una interfaz de alto ancho de banda y doble velocidad de datos , diseñada para su uso en tarjetas gráficas y computación de alto rendimiento . Es un tipo de GDDR SDRAM ( memoria DDR SDRAM para gráficos ) y es la sucesora de la GDDR6 .

• En el Samsung Tech Day 2022, Samsung anunció GDDR7 como sucesor de GDDR6X , que podría ofrecer hasta 36 GT/s. ^{[ 1 ]} Dos meses después, Samsung anunció que utilizaría la señalización PAM-3 para lograr la mayor tasa de transferencia. ^{[ 2 ]}
• El 8 de marzo de 2023, Cadence anunció la herramienta de solución de verificación para la producción preliminar de SDRAM GDDR7 . ^{[ 3 ]}
• El 30 de junio de 2023, Micron anunció que se fabricará utilizando el nodo 1β (equivalente al nodo de proceso de 12–10 nm ), con lanzamiento previsto para el primer semestre de 2024. ^{[ 4 ]}
• El 18 de julio de 2023, Samsung anunció la primera generación de GDDR7, que puede alcanzar hasta 32 Gbps por pin (un ancho de banda un 100 % mayor por pin en comparación con los 16 Gbps por pin de GDDR6) y es un 20 % más eficiente energéticamente. Para el material de encapsulado, utilizará un compuesto de moldeo epoxi (EMC) junto con la optimización de la arquitectura del circuito integrado , lo que reducirá la resistencia térmica en un 70 %. ^{[ 5 ]} Posteriormente, en una sesión de preguntas y respuestas, Samsung mencionó que se fabricará utilizando el nodo D1z (equivalente a 15-14 nm ^{[ 6 ]} ) y funcionará a 1,2 V. También se pondrá a disposición una versión de 1,1 V con velocidades de reloj reducidas en algún momento en el futuro después del lanzamiento de la versión de 1,2 V. ^{[ 7 ]}
• El 5 de marzo de 2024, JEDEC publicó el estándar formal y las especificaciones de la memoria gráfica GDDR7. ^{[ 8 ]}

La memoria SDRAM GDDR7 utiliza modulación de amplitud de pulso de tres niveles (−1, 0, +1) (PAM-3), reemplazando la NRZ de GDDR6 y la PAM-4 de GDDR6x. La PAM-3 transfiere tres bits en dos ciclos, mientras que la NRZ transfiere un bit en un ciclo. La PAM-3 es un 20 % más eficiente energéticamente que la NRZ, a la vez que opera a un mayor ancho de banda. El equipo de fabricación será menos costoso que el de la PAM-4. ^{[ 9 ]}

GDDR7 agrega código de corrección de errores en el chip , comprobación de errores y funciones de limpieza para la confiabilidad del chip, principalmente útil para casos de uso de computación/ IA . ^{[ 10 ]}

Las velocidades de datos iniciales son de 32  Gbps/pin, mientras que los fabricantes de memoria han señalado que  se pueden alcanzar fácilmente velocidades de hasta 36 Gbps/pin. El estándar prevé un ancho de banda futuro de hasta 48  Gbps/pin ^{[ 11 ]} y capacidades de chip de hasta 64 Gbit, en comparación con los 16 Gbit  de GDDR6X ^{[ 10 ] .} 

• Lista de velocidades de bits de la interfaz