BCDMOS

BCDMOS es un circuito complejo compuesto por dispositivos bipolares , CMOS y DMOS . ^{[ 1 ]}

La tecnología BCDMOS permite controlar componentes discretos de alto voltaje (varios cientos de voltios de voltaje operativo) a alta frecuencia, manteniendo una alta integración con nodos tecnológicos de hasta 40  nm o 22  nm. Muchas aplicaciones todavía utilizan un nodo de proceso de 0,35 μm en 2023. ^{[ 2 ]}

Este tipo de circuitos se pueden encontrar en aplicaciones automotrices , amplificadores de audio, radiofrecuencia , industria y fotomultiplicadores de silicio ( SiPM ). ^{[ 3 ]}

SGS (ahora STmicroelectronics ) inventó la tecnología BCD (bipolar-CMOS-DMOS), revolucionaria en su momento, en 1985 ^{[ 1 ]} y la ha desarrollado continuamente desde entonces. BCD es una familia de procesos de silicio, cada uno de los cuales combina las ventajas de tres tecnologías de proceso diferentes en un solo chip. ^{[ 4 ]}

Según el sitio web de Maxim, se trata de un proceso innovador que ofrece las siguientes características:

1. alto voltaje de ruptura pero transistores pequeños ,
2. resistencia de encendido bastante baja, lo cual es importante para la integración de múltiples FET de potencia de baja resistividad,
3. doble capa metálica para soportar alta corriente
4. Combinando películas delgadas y capas de poli-poli (en silicio). Se pueden integrar referencias de alta precisión.

Según las noticias de Dongbu HiTek, la compañía afirma haber lanzado el primer proceso BCDMOS de 0,18 micrómetros en la industria. El nuevo proceso integra funciones lógicas , analógicas y de alto voltaje para reducir el tamaño.