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proceso de 1 μm

El proceso de 1 μm (proceso de 1 micrómetro ) es un nivel de tecnología de proceso de semiconductores MOSFET que se comercializó alrededor del período 1984-1986, [ 1 ] [ 2 ] por...

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El proceso de 1 μm (proceso de 1 micrómetro ) es un nivel de tecnología de proceso de semiconductores MOSFET que se comercializó alrededor del período 1984-1986, [ 1 ] [ 2 ] por compañías como NTT , NEC , Intel e IBM . Fue el primer proceso donde CMOS era común (a diferencia de NMOS ).

El proceso de 1 μm se refiere al tamaño mínimo que se podía producir de forma fiable. Los transistores y otros elementos de circuito más pequeños en un chip fabricados con este proceso tenían un ancho aproximado de 1 micrómetro.

El primer MOSFET con una longitud de canal NMOS  de 1 μm fue fabricado por un equipo de investigación liderado por Robert H. Dennard , Hwa-Nien Yu y FH Gaensslen en el Centro de Investigación IBM TJ Watson en 1974. [ 3 ]

Productos con  proceso de fabricación de 1,0 μm

  • NTT introdujo el  proceso de 1 μm para sus chips de memoria DRAM , incluyendo sus chips de 64k  en 1979 y 256k  en 1980. [ 4 ]
  • El chip de memoria DRAM de 1 Mbit de NEC se fabricó con el proceso de 1 μm en 1984. [ 5 ]  
  • La CPU Intel 80386 , lanzada en 1985, se fabricó utilizando este proceso. [ 1 ]
  • Intel utiliza este proceso en la tecnología CHMOS III-E . [ 6 ]
  • Intel utiliza este proceso en la tecnología CHMOS IV. [ 7 ]

Referencias

  1. 1 2 Mueller, S (21 de julio de 2006). "Microprocesadores desde 1971 hasta la actualidad" . informIT. Archivado del original el 19 de abril de 2015. Recuperado el 11 de mayo de 2012 .
  2. ↑ Myslewski, R (15 de noviembre de 2011). "¡Feliz 40 cumpleaños, Intel 4004!" . TheRegister. Archivado del original el 19 de abril de 2015. Recuperado el 19 de abril de 2015 .
  3. ^ Dennard, Robert H .; Yu, Hwa-Nien; Gaensslen, FH; Paseo, VL; Bassous, E.; LeBlanc, AR (octubre de 1974). "Diseño de MOSFET implantados con iones con dimensiones físicas muy pequeñas" (PDF) . Revista IEEE de circuitos de estado sólido . 9 (5): 256– 268. Bibcode : 1974IJSSC...9..256D . doi : 10.1109/JSSC.1974.1050511 . S2CID 283984 . 
  4. ↑ Gealow, Jeffrey Carl (10 de agosto de 1990). "Impacto de la tecnología de procesamiento en el diseño del amplificador de detección de DRAM" ( PDF) . Instituto Tecnológico de Massachusetts . págs. 149–166 . Recuperado el 25 de junio de 2019 – vía CORE . 
  5. ↑ "Memoria" . STOL (Semiconductor Technology Online) . Consultado el 25 de junio de 2019 .
  6. ↑ Intel Corporation, "Nuevo producto destacado: Componentes: Las EPROM de dos y cuatro megabits ofrecen un alto rendimiento y densidad", Microcomputer Solutions, septiembre/octubre de 1989, página 14
  7. ↑ Intel Corporation, "Nuevo producto: Componentes: El nuevo ASSP se adapta a las aplicaciones móviles", Microcomputer Solutions, septiembre/octubre de 1990, página 11
  • Breve cronología del desarrollo de los microprocesadores